onsemi, IGBT-modul, Q0PACK - Kasse 180AJ Overflade 2
- RS-varenummer:
- 245-6982
- Producentens varenummer:
- NXH40B120MNQ0SNG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 603,11
(ekskl. moms)
Kr. 753,89
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 21. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 603,11 |
| 10 + | Kr. 519,86 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 245-6982
- Producentens varenummer:
- NXH40B120MNQ0SNG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | IGBT-modul | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 118W | |
| Antal transistorer | 2 | |
| Emballagetype | Q0PACK - Kasse 180AJ | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 13.9mm | |
| Længde | 55.2mm | |
| Serie | NXH40B120MNQ0SNG | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype IGBT-modul | ||
Effektafsættelse maks. Pd 118W | ||
Antal transistorer 2 | ||
Emballagetype Q0PACK - Kasse 180AJ | ||
Monteringstype Overflade | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 13.9mm | ||
Længde 55.2mm | ||
Serie NXH40B120MNQ0SNG | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Fuldt SiC MOSFET-modul | EliteSiC 2-kanals fuldt SiC-boost, 1200 V, 40 mohm SiC MOSFET + 1200 V, 40 A SiC-diode forniklet DBC
ON Semiconductor 3-kanals boost Q1 effektmodul er et effektmodul med dobbelt boost-trin. De integrerede SiC MOSFET'er og SiC-dioder giver lavere ledningstab og skiftetab, hvilket gør det muligt for designere at opnå høj effektivitet og overlegen pålidelighed.
1200 V 40 m SiC MOSFET'er
Low Reverse Recovery og fast switching SiC-dioder
1200 V bypass- og antiparallelle dioder
Lav induktiv layout Solderable ben termistor
Denne enhed er blyfri, halogenfri/BFR-fri og overholder RoHS