HGTG30N60C3D, IGBT, N-Kanal, 63 A 600 V, 3 ben, TO-247 Enkelt
- RS-varenummer:
- 246-3194
- Producentens varenummer:
- HGTG30N60C3D
- Brand:
- Fairchild Semiconductor
Dette produkt er udgået
- RS-varenummer:
- 246-3194
- Producentens varenummer:
- HGTG30N60C3D
- Brand:
- Fairchild Semiconductor
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Ikke i overensstemmelse med RoHS
- COO (Country of Origin):
- CN
Generel produktinformation
Diskrete IGBT'er, Fairchild Semiconductor
IGBT diskrete halvledere og moduler, Fairchild Semiconductor
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 63 A |
| Kollektor emitter spænding maks. | 600 V |
| Gate emitter spænding maks. | ±20V |
| Kapslingstype | TO-247 |
| Monteringstype | Hulmontering |
| Kanaltype | N |
| Benantal | 3 |
| Transistorkonfiguration | Enkelt |
| Dimensioner | 15.87 x 4.82 x 20.82mm |
| Driftstemperatur min. | -40 °C |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C |
- RS-varenummer:
- 246-3194
- Producentens varenummer:
- HGTG30N60C3D
- Brand:
- Fairchild Semiconductor