STMicroelectronics, IGBT, 50 A 1200 V, 3 Ben Hulmontering
- RS-varenummer:
- 248-4895
- Producentens varenummer:
- STGYA50M120DF3
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 1.360,68
(ekskl. moms)
Kr. 1.700,85
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 30 enhed(er) afsendes fra 25. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | Kr. 45,356 | Kr. 1.360,68 |
| 60 - 60 | Kr. 44,795 | Kr. 1.343,85 |
| 90 + | Kr. 44,249 | Kr. 1.327,47 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 248-4895
- Producentens varenummer:
- STGYA50M120DF3
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 50A | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 1200V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 535W | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.7V | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 15.9mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Serie | STGYA50M120DF3 | |
| Højde | 5.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 50A | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 1200V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 535W | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.7V | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 15.9mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Serie STGYA50M120DF3 | ||
Højde 5.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics-produktet er en IGBT, der er udviklet ved hjælp af en Advanced egenudviklet rench gate-feltstopstruktur. Enheden er en del af IGBT'er i M-serien, som udgør en optimal balance mellem invertersystemets ydeevne og effektivitet, hvor det lave tab og kortslutningsfunktionaliteten er afgørende. Desuden medfører den positive VCEsat temperaturkoefficient og den stramme parameters fordeling en mere sikker parallelkobling.
Maksimal samledstemperatur på 175 grader C.
10 μs kortslutning modstår tid
Lav VCEsat
Stram parameterfordeling
Positiv VCEsat temperaturkoefficient
Lav termisk modstand
Blød og hurtig genindvindingsantiparallel diode