IMBG120R350M1HXTMA1, IGBT transistormodul, PG-TO263-7
- RS-varenummer:
- 258-3756
- Producentens varenummer:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 15.532,00
(ekskl. moms)
Kr. 19.415,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 25. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 15,532 | Kr. 15.532,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3756
- Producentens varenummer:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kapslingstype | PG-TO263-7 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kapslingstype PG-TO263-7 | ||
Infineon CoolSiC1200 V, 350 mΩ SiC MOSFET i et D2PAK-7L hus bygger på en state-of-the-art trinch-halvlederproces, der er optimeret til at kombinere ydeevne med driftssikkerhed. CoolSiC-teknologiens lave effekttab kombineret med XT-sammenkoblingsteknologi i et nyt 1200 V optimeret SMD-hus muliggør høj effektivitet og passivt kølepotentiale i anvendelser som f.eks. drev, ladere og industrielle strømforsyninger.
Meget lave skiftetab
Modstandsdygtighed over for kortslutning, 3 μs
Fuldt styrbar dV/dt
Effektivitetsforbedring
Aktivering af højere frekvens
Øget effekttæthed
Modstandsdygtighed over for kortslutning, 3 μs
Fuldt styrbar dV/dt
Effektivitetsforbedring
Aktivering af højere frekvens
Øget effekttæthed