Infineon, IGBT-modul, 4.7 A, TO-263

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 14.300,00

(ekskl. moms)

Kr. 17.880,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 12. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 14,30Kr. 14.300,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
258-3756
Producentens varenummer:
IMBG120R350M1HXTMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

IGBT-modul

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

4.7A

Effektafsættelse maks. Pd

65W

Emballagetype

TO-263

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

JEDEC47/20/22

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolSiC1200 V, 350 mΩ SiC MOSFET i et D2PAK-7L hus bygger på en state-of-the-art trinch-halvlederproces, der er optimeret til at kombinere ydeevne med driftssikkerhed. CoolSiC-teknologiens lave effekttab kombineret med XT-sammenkoblingsteknologi i et nyt 1200 V optimeret SMD-hus muliggør høj effektivitet og passivt kølepotentiale i anvendelser som f.eks. drev, ladere og industrielle strømforsyninger.

Meget lave skiftetab

Modstandsdygtighed over for kortslutning, 3 μs

Fuldt styrbar dV/dt

Effektivitetsforbedring

Aktivering af højere frekvens

Øget effekttæthed

Relaterede links