Infineon, IGBT-modul, 4.7 A, TO-263
- RS-varenummer:
- 258-3757
- Producentens varenummer:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 34,48
(ekskl. moms)
Kr. 43,10
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 34,48 |
| 10 - 24 | Kr. 30,67 |
| 25 - 49 | Kr. 29,02 |
| 50 - 99 | Kr. 26,93 |
| 100 + | Kr. 24,83 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3757
- Producentens varenummer:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | IGBT-modul | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 4.7A | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 65W | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC47/20/22 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype IGBT-modul | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 4.7A | ||
Effektafsættelse maks. Pd 65W | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC47/20/22 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolSiC1200 V, 350 mΩ SiC MOSFET i et D2PAK-7L hus bygger på en state-of-the-art trinch-halvlederproces, der er optimeret til at kombinere ydeevne med driftssikkerhed. CoolSiC-teknologiens lave effekttab kombineret med XT-sammenkoblingsteknologi i et nyt 1200 V optimeret SMD-hus muliggør høj effektivitet og passivt kølepotentiale i anvendelser som f.eks. drev, ladere og industrielle strømforsyninger.
Meget lave skiftetab
Modstandsdygtighed over for kortslutning, 3 μs
Fuldt styrbar dV/dt
Effektivitetsforbedring
Aktivering af højere frekvens
Øget effekttæthed