IMBG120R350M1HXTMA1, IGBT transistormodul, PG-TO263-7
- RS-varenummer:
- 258-3757
- Producentens varenummer:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 35,90
(ekskl. moms)
Kr. 44,88
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 654 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 35,90 |
| 10 - 24 | Kr. 31,86 |
| 25 - 49 | Kr. 30,14 |
| 50 - 99 | Kr. 28,05 |
| 100 + | Kr. 25,88 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3757
- Producentens varenummer:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kapslingstype | PG-TO263-7 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kapslingstype PG-TO263-7 | ||
Infineon CoolSiC1200 V, 350 mΩ SiC MOSFET i et D2PAK-7L hus bygger på en state-of-the-art trinch-halvlederproces, der er optimeret til at kombinere ydeevne med driftssikkerhed. CoolSiC-teknologiens lave effekttab kombineret med XT-sammenkoblingsteknologi i et nyt 1200 V optimeret SMD-hus muliggør høj effektivitet og passivt kølepotentiale i anvendelser som f.eks. drev, ladere og industrielle strømforsyninger.
Meget lave skiftetab
Modstandsdygtighed over for kortslutning, 3 μs
Fuldt styrbar dV/dt
Effektivitetsforbedring
Aktivering af højere frekvens
Øget effekttæthed
Modstandsdygtighed over for kortslutning, 3 μs
Fuldt styrbar dV/dt
Effektivitetsforbedring
Aktivering af højere frekvens
Øget effekttæthed