Infineon, IGBT, 24 A 600 V, TO-263
- RS-varenummer:
- 258-7725
- Producentens varenummer:
- IKB10N60TATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 82,13
(ekskl. moms)
Kr. 102,66
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 895 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 16,426 | Kr. 82,13 |
| 25 - 45 | Kr. 14,796 | Kr. 73,98 |
| 50 - 120 | Kr. 13,972 | Kr. 69,86 |
| 125 - 245 | Kr. 12,956 | Kr. 64,78 |
| 250 + | Kr. 12,012 | Kr. 60,06 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-7725
- Producentens varenummer:
- IKB10N60TATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 24A | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 600V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Portsenderspænding maks. | ±20 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Serie | TRENCHSTOPTM | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 24A | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 600V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Portsenderspænding maks. ±20 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Serie TRENCHSTOPTM | ||
Standarder/godkendelser JEDEC1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IGBT diskret med anti-parallel diode i TO-263 hus. Den har en betydelig forbedring af statisk såvel som dynamisk ydeevne for enheden på grund af kombinationen af trinchcelle og felt-stopkoncept. Den har også lav ledningsevne og skiftetab.
Laveste VCEsat-fald for lavere ledningstab
Nem parallel skiftefunktion takket være positiv temperaturkoefficient i VCEsat
Meget blød, hurtig genopretning, antiparallel emitterstyret diode
Høj robusthed, temperaturstabil adfærd
Lav gate-opladning