IKB10N60TATMA1, IGBT, 30 A 600 V, TO-263-3 1
- RS-varenummer:
- 258-7725
- Producentens varenummer:
- IKB10N60TATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 69,56
(ekskl. moms)
Kr. 86,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 955 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 13,912 | Kr. 69,56 |
| 25 - 45 | Kr. 12,536 | Kr. 62,68 |
| 50 - 120 | Kr. 11,834 | Kr. 59,17 |
| 125 - 245 | Kr. 10,98 | Kr. 54,90 |
| 250 + | Kr. 10,172 | Kr. 50,86 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-7725
- Producentens varenummer:
- IKB10N60TATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 30 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 600 V | |
| Gate emitter spænding maks. | 20V | |
| Antal transistorer | 1 | |
| Effektafsættelse maks. | 110 W | |
| Konfiguration | Enkelt kollektor, enkelt emitter, enkelt-gate | |
| Kapslingstype | TO-263-3 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 30 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 600 V | ||
Gate emitter spænding maks. 20V | ||
Antal transistorer 1 | ||
Effektafsættelse maks. 110 W | ||
Konfiguration Enkelt kollektor, enkelt emitter, enkelt-gate | ||
Kapslingstype TO-263-3 | ||
Infineon IGBT diskret med anti-parallel diode i TO-263 hus. Den har en betydelig forbedring af statisk såvel som dynamisk ydeevne for enheden på grund af kombinationen af trinchcelle og felt-stopkoncept. Den har også lav ledningsevne og skiftetab.
Laveste VCEsat-fald for lavere ledningstab
Nem parallel skiftefunktion takket være positiv temperaturkoefficient i VCEsat
Meget blød, hurtig genopretning, antiparallel emitterstyret diode
Høj robusthed, temperaturstabil adfærd
Lav gate-opladning
Nem parallel skiftefunktion takket være positiv temperaturkoefficient i VCEsat
Meget blød, hurtig genopretning, antiparallel emitterstyret diode
Høj robusthed, temperaturstabil adfærd
Lav gate-opladning
Relaterede links
- IKB10N60TATMA1 30 A 600 V, TO-263-3 1
- IGB30N60H3ATMA1 N-Kanal 3+Tab ben, D2PAK (TO-263) Enkelt
- FGB20N60SFD N-Kanal 3 ben, D2PAK (TO-263) Enkelt
- IGB10N60TATMA1 N-Kanal 3 ben, D2PAK (TO-263) Enkelt
- STGB10NC60KDT4 N-Kanal 3 ben, D2PAK (TO-263) Enkelt
- STGB10NC60HDT4 N-Kanal 3 ben, D2PAK (TO-263) Enkelt
- IRGS15B60KPBF N-Kanal 3 ben, D2PAK (TO-263) Enkelt
- STGB18N40LZT4 N-Kanal 3 ben, D2PAK (TO-263) Enkelt
