Infineon, IGBT, Type N-Kanal, 20 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Overflade

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 132,70

(ekskl. moms)

Kr. 165,88

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
Midlertidigt ikke på lager
  • 600 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 6,635Kr. 132,70
200 - 480Kr. 4,787Kr. 95,74
500 - 980Kr. 4,219Kr. 84,38
1000 - 1980Kr. 3,968Kr. 79,36
2000 +Kr. 3,867Kr. 77,34

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
826-9055
Producentens varenummer:
IGB10N60TATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

20A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

110W

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Portsenderspænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-40°C

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.05V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

JEDEC

Serie

TrenchStop

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Ikke relevant

Infineon TrenchStop IGBT-transistorer, 600 og 650 V


En serie af IGBT-transistorer fra Infineon med mærkespænding for kollektor-emitter på 600 og 650 V med TrenchStop™-teknologi. Serien omfatter enheder med integreret højhastigheds, anti-parallel diode med hurtig gendannelse.

• Spændingsområde for kollektor-emitter 600 til 650 V

• Meget lav VCEsat

• Lille tab ved slukning

• Kort efterstrøm

• Lav EMI

• Maksimal junction-temperatur 175 °C

IGBT diskrete halvledere og moduler, Infineon


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links