Infineon, IGBT, Type N-Kanal, 20 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Overflade
- RS-varenummer:
- 826-9055
- Producentens varenummer:
- IGB10N60TATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 136,30
(ekskl. moms)
Kr. 170,38
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 560 enhed(er) afsendes fra 11. juni 2026
- Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 03. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 6,815 | Kr. 136,30 |
| 200 - 480 | Kr. 4,918 | Kr. 98,36 |
| 500 - 980 | Kr. 4,331 | Kr. 86,62 |
| 1000 - 1980 | Kr. 4,077 | Kr. 81,54 |
| 2000 + | Kr. 3,972 | Kr. 79,44 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 826-9055
- Producentens varenummer:
- IGB10N60TATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 20A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 600V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Kanaltype | Type N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 1MHz | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2.05V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC | |
| Serie | TrenchStop | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 20A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 600V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Kanaltype Type N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 1MHz | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2.05V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC | ||
Serie TrenchStop | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Ikke relevant
Infineon TrenchStop IGBT-transistorer, 600 og 650 V
En serie af IGBT-transistorer fra Infineon med mærkespænding for kollektor-emitter på 600 og 650 V med TrenchStop™-teknologi. Serien omfatter enheder med integreret højhastigheds, anti-parallel diode med hurtig gendannelse.
• Spændingsområde for kollektor-emitter 600 til 650 V
• Meget lav VCEsat
• Lille tab ved slukning
• Kort efterstrøm
• Lav EMI
• Maksimal junction-temperatur 175 °C
IGBT diskrete halvledere og moduler, Infineon
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 3 Ben, TO-263 Overflade
- Infineon Type N-Kanal TO-263
- Infineon Type N-Kanal 3 Ben, TO-263 Hulmontering
- Infineon Type N-Kanal 3 Ben, TO-263 Overflade
- Infineon Type N-Kanal 3 Ben, TO-263 Overflade
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO-263 Overflade
- Infineon AEC-Q101 Type N-Kanal 3 Ben, TO-263 Hulmontering
- Infineon 24 A 600 V, TO-263