Infineon, IGBT, Type N-Kanal, 20 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Overflade

Se alle IGBT

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 3.070,00

(ekskl. moms)

Kr. 3.840,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 06. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 3,07Kr. 3.070,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-5613
Producentens varenummer:
IGB10N60TATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

20A

Produkttype

IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

110W

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Min. driftstemperatur

-40°C

Portsenderspænding maks.

20 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.05V

Driftstemperatur maks.

175°C

Serie

TrenchStop

Standarder/godkendelser

JEDEC

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Ikke relevant

COO (Country of Origin):
CN

Infineon TrenchStop IGBT-transistorer, 600 og 650 V


En serie af IGBT-transistorer fra Infineon med mærkespænding for kollektor-emitter på 600 og 650 V med TrenchStop™-teknologi. Serien omfatter enheder med integreret højhastigheds, anti-parallel diode med hurtig gendannelse.

• Spændingsområde for kollektor-emitter 600 til 650 V

• Meget lav VCEsat

• Lille tab ved slukning

• Kort efterstrøm

• Lav EMI

• Maksimal junction-temperatur 175 °C

IGBT diskrete halvledere og moduler, Infineon


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links