STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 20 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Overflade

Se alle IGBT

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 6.583,00

(ekskl. moms)

Kr. 8.229,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 15. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 6,583Kr. 6.583,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-7156
Producentens varenummer:
STGB10NC60HDT4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

20A

Produkttype

IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

65W

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.5V

Portsenderspænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

9.35 mm

Længde

10.4mm

Højde

4.6mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

IGBT diskrete, ST Microelectronics


IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links