STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 20 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Overflade

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 78,09

(ekskl. moms)

Kr. 97,61

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 120 enhed(er) afsendes fra 16. februar 2026
  • Plus 410 enhed(er) afsendes fra 16. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 20Kr. 15,618Kr. 78,09
25 - 45Kr. 14,84Kr. 74,20
50 - 120Kr. 13,374Kr. 66,87
125 - 245Kr. 11,998Kr. 59,99
250 +Kr. 11,414Kr. 57,07

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
795-7041
Producentens varenummer:
STGB10NC60HDT4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

20A

Produkttype

IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

65W

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Portsenderspænding maks.

±20 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.5V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

4.6mm

Længde

10.4mm

Bredde

9.35 mm

Bilindustristandarder

Nej

IGBT diskrete, ST Microelectronics


IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links