STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, Type N-Kanal, 30 A 420 V 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Overflade
- RS-varenummer:
- 810-3485
- Producentens varenummer:
- STGB18N40LZT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 bånd af 5 enheder)*
Kr. 66,78
(ekskl. moms)
Kr. 83,475
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.300 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 13,356 | Kr. 66,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 810-3485
- Producentens varenummer:
- STGB18N40LZT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 30A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 420V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Kanaltype | Type N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 1MHz | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.7V | |
| Portsenderspænding maks. | 16 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.6mm | |
| Serie | Automotive Grade | |
| Længde | 10.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 30A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 420V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Kanaltype Type N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 1MHz | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.7V | ||
Portsenderspænding maks. 16 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.6mm | ||
Serie Automotive Grade | ||
Længde 10.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
IGBT diskrete, ST Microelectronics
IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Relaterede links
- STMicroelectronics AEC-Q101 Type N-Kanal 3 Ben, TO-263 Overflade
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO-263 Overflade
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO-263 Overflade
- STMicroelectronics AEC-Q101 Type N-Kanal 3 Ben, TO-263 Overflade
- STMicroelectronics AEC-Q101 Type N-Kanal 3 Ben, TO-252 Overflade
- onsemi AEC-Q101 Type N-Kanal 3 Ben, TO-263 Overflade
- Fairchild Semiconductor AEC-Q101 Type N-Kanal 3 Ben, TO-263 Overflade
- Fairchild Semiconductor AEC-Q101 Type N-Kanal 3 Ben, TO-263 Overflade