STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, N-Kanal, 25 A 450 V 8.4 μs, 3 Ben, TO-263 Overflade
- RS-varenummer:
- 164-6956
- Producentens varenummer:
- STGB20N45LZAG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 10.280,00
(ekskl. moms)
Kr. 12.850,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | Kr. 10,28 | Kr. 10.280,00 |
| 2000 - 4000 | Kr. 9,494 | Kr. 9.494,00 |
| 5000 + | Kr. 9,378 | Kr. 9.378,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 164-6956
- Producentens varenummer:
- STGB20N45LZAG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 25A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 450V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 8.4μs | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.55V | |
| Portsenderspænding maks. | 16 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Serie | Automotive Grade | |
| Højde | 4.6mm | |
| Bredde | 9.35mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Nominel energi | 300mJ | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 25A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 450V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 8.4μs | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.55V | ||
Portsenderspænding maks. 16 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Serie Automotive Grade | ||
Højde 4.6mm | ||
Bredde 9.35mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Nominel energi 300mJ | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Denne anvendelsesspecifikke IGBT benytter den mest avancerede PowerMESH™-teknologi, der er optimeret til at drive spolen i det barske miljø i bilers tændingssystemer. Disse enheder har en meget lav spænding i aktiveret tilstand og kan håndtere meget høj SCIS-energi over et bredt driftstemperaturområde. Desuden betyder ESD-beskyttet gate-indgang på logikniveau og en integreret gate-modstand, at ingen eksterne beskyttelseskredsløb er nødvendige
SCIS-energi på 300 mJ @ TJ = 25 °C
Delene er 100 % afprøvet i SCIS
ESD-gate-emitterbeskyttelse
Gate-kollektor højspændingsdæmpning
Logikniveau gate-drive
Meget lav mætningsspænding
Kan håndtere høj impulsstrøm
Gate- og gate-emitter-modstand
Relaterede links
- STMicroelectronics AEC-Q101 N-Kanal 3 Ben, TO-263 Overflade
- STMicroelectronics AEC-Q101 N-Kanal 3 Ben, TO-252 Overflade
- STMicroelectronics N-Kanal 3 Ben, TO-263 Overflade
- STMicroelectronics AEC-Q101 N-Kanal 3 Ben, TO-263 Overflade
- Littelfuse N-Kanal 3 Ben, TO-263 Overflade
- STMicroelectronics 3 Ben
- STMicroelectronics N-Kanal 3 Ben, TO-220FP Hulmontering
- onsemi AEC-Q101 N-Kanal 3 Ben, TO-263 Overflade