STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, Type N-Kanal, 30 A 420 V 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Overflade

Se alle IGBT

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 9.081,00

(ekskl. moms)

Kr. 11.351,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 16. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 9,081Kr. 9.081,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-7861
Producentens varenummer:
STGB18N40LZT4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

30A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

420V

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Min. driftstemperatur

-55°C

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.7V

Portsenderspænding maks.

16 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Serie

Automotive Grade

Længde

10.4mm

Højde

4.6mm

Bredde

9.35 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

IGBT diskrete, ST Microelectronics


IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links