Infineon, IGBT-modul, 50 A 600 V, TO-220
- RS-varenummer:
- 259-1524
- Producentens varenummer:
- IGP50N60TXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 991,85
(ekskl. moms)
Kr. 1.239,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 400 enhed(er) afsendes fra 12. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 19,837 | Kr. 991,85 |
| 100 - 200 | Kr. 18,847 | Kr. 942,35 |
| 250 + | Kr. 17,656 | Kr. 882,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 259-1524
- Producentens varenummer:
- IGP50N60TXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | IGBT-modul | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 50A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 600V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 333W | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.5V | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Serie | TRENCHSTOPTM | |
| Bredde | 10.36mm | |
| Længde | 29.95mm | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC1 | |
| Højde | 4.57mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype IGBT-modul | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 50A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 600V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 333W | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.5V | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Serie TRENCHSTOPTM | ||
Bredde 10.36mm | ||
Længde 29.95mm | ||
Standarder/godkendelser JEDEC1 | ||
Højde 4.57mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IGBT med lavt tab har nem parallel switching-kapacitet på grund af positiv temperaturkoefficient i Vcesat. Den har høj robusthed, temperaturstabil adfærd. Det er en meget blød, hurtig genopretning, anti-parallel emitterstyret diode.
Maksimal sammenkoblingstemperatur 175 °C
Modstandsdygtighed over for kortslutning 5 mikrosekunder
Lav EMI
Lav gate-opladning
Meget snæver parameterfordeling