Infineon, IGBT, Type N-Kanal, 12 A 600 V, 3 Ben, TO-220 Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 60,92

(ekskl. moms)

Kr. 76,15

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 70 enhed(er) afsendes fra 06. april 2026
  • Plus 270 enhed(er) afsendes fra 13. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 6,092Kr. 60,92
50 - 90Kr. 5,786Kr. 57,86
100 - 240Kr. 5,541Kr. 55,41
250 - 490Kr. 5,302Kr. 53,02
500 +Kr. 4,931Kr. 49,31

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
110-7169
Producentens varenummer:
IKP06N60TXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

12A

Produkttype

IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

88W

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.05V

Min. driftstemperatur

-40°C

Portsenderspænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

JEDEC, RoHS

Serie

TrenchStop

Bilindustristandarder

Nej

Nominel energi

0.335mJ

Infineon TrenchStop IGBT-transistorer, 600 og 650 V


En serie af IGBT-transistorer fra Infineon med mærkespænding for kollektor-emitter på 600 og 650 V med TrenchStop™-teknologi. Serien omfatter enheder med integreret højhastigheds, anti-parallel diode med hurtig gendannelse.

• Spændingsområde for kollektor-emitter 600 til 650 V

• Meget lav VCEsat

• Lille tab ved slukning

• Kort efterstrøm

• Lav EMI

• Maksimal junction-temperatur 175 °C

IGBT diskrete halvledere og moduler, Infineon


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links