IKP20N60TXKSA1, IGBT, N-Kanal, 41 A 600 V, 3 ben, TO-220 1 Enkelt

RS-varenummer:: 170-2371
Producentens varenummer:: IKP20N60TXKSA1
Brand:: Infineon

IKP20N60TXKSA1, IGBT, N-Kanal, 41 A 600 V, 3 ben, TO-220 1 Enkelt

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 146,54

(ekskl. moms)

Kr. 183,18

(inkl. moms)

Tilføj 40 enheder for at opnå gratis levering

Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.

På lager

2.470 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
10 - 10	Kr. 14,654	Kr. 146,54
20 - 40	Kr. 13,92	Kr. 139,20
50 - 90	Kr. 13,337	Kr. 133,37
100 - 240	Kr. 12,462	Kr. 124,62
250 +	Kr. 11,729	Kr. 117,29

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 170-2371
Producentens varenummer:: IKP20N60TXKSA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kollektorstrøm kontinuerlig maks.	41 A
	Kollektor emitter spænding maks.	600 V
	Gate emitter spænding maks.	±20V
	Effektafsættelse maks.	166 W
	Antal transistorer	1
	Kapslingstype	TO-220
	Monteringstype	Hulmontering
	Kanaltype	N
	Benantal	3
	Transistorkonfiguration	Enkelt
	Dimensioner	10.36 x 4.57 x 15.95mm
	Driftstemperatur min.	-40 °C
	Nominel energi	0.77mJ
	Driftstemperatur maks.	+175 °C

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 41 A
	Kollektor emitter spænding maks. 600 V
	Gate emitter spænding maks. ±20V
	Effektafsættelse maks. 166 W
	Antal transistorer 1
	Kapslingstype TO-220
	Monteringstype Hulmontering
	Kanaltype N
	Benantal 3
	Transistorkonfiguration Enkelt
	Dimensioner 10.36 x 4.57 x 15.95mm
	Driftstemperatur min. -40 °C
	Nominel energi 0.77mJ
	Driftstemperatur maks. +175 °C

Infineon IGBT

Infineon IGBT er en 3-benet N-kanal TO-220 transistor til montering gennem huller. Den har en mærkestrøm på 41A og en spændingskapacitet på 600V 3. Generation af reverse conducting IGBT, der er optimeret til lavere koblings- og ledningstab. Dens bløde skiftefunktion giver bedre ydeevne og EMI-adfærd. Ved hjælp af denne transistor kan fremragende ydeevne opnås til lavere omkostninger.

Egenskaber og fordele

• Omkostningseffektiv
• Høj effektivitet
• Lav EMI-udledning
• Lavt skiftetab
• Laveste V ce (sat) fald for lavere ledningstab
• Maksimal effekttab er 166 W
• Driftstemperaturområder mellem -40°C og 175°C.
• Reduceret effekttab
• Lever strømkapacitet
• Meget blød, hurtig genindvinding, anti-parallel emitter-styret diode

Anvendelsesområder

• husholdningsapparater
• Induktionskogeovne
• Industrielle drev
• Mikroovn
• Riskogere
• Nødstrømsforsyninger (UPS)
• Svejsning

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007