Infineon, IGBT, N-Kanal, 26 A 600 V, 3 Ben, TO-220 Hulmontering
- RS-varenummer:
- 145-8596
- Producentens varenummer:
- IKP15N60TXKSA1
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 145-8596
- Producentens varenummer:
- IKP15N60TXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 26A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 600V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 130W | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2.05V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC | |
| Serie | TrenchStop | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Nominel energi | 0.81mJ | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 26A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 600V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 130W | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2.05V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC | ||
Serie TrenchStop | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Nominel energi 0.81mJ | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon TrenchStop IGBT-transistorer, 600 og 650 V
En serie af IGBT-transistorer fra Infineon med mærkespænding for kollektor-emitter på 600 og 650 V med TrenchStop™-teknologi. Serien omfatter enheder med integreret højhastigheds, anti-parallel diode med hurtig gendannelse.
• Spændingsområde for kollektor-emitter 600 til 650 V
• Meget lav VCEsat
• Lille tab ved slukning
• Kort efterstrøm
• Lav EMI
• Maksimal junction-temperatur 175 °C
IGBT diskrete halvledere og moduler, Infineon
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 3 Ben, TO-220 Hulmontering
- Infineon N-Kanal 3 Ben, TO-220 Hulmontering
- Infineon N-Kanal 3 Ben, TO-220 Hulmontering
- Infineon N-Kanal 3 Ben, TO-220 Overflade
- Infineon N-Kanal 3 Ben, TO-263 Overflade
- Infineon N-Kanal 26 A 600 V Forbedring TO-220, IPP60R
- Infineon N-Kanal TO-263
- Infineon N-Kanal TO-251