Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 26 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IPP60R
- RS-varenummer:
- 222-4929
- Producentens varenummer:
- IPP60R120P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 94,70
(ekskl. moms)
Kr. 118,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 420 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 18,94 | Kr. 94,70 |
| 25 - 45 | Kr. 16,096 | Kr. 80,48 |
| 50 - 120 | Kr. 14,96 | Kr. 74,80 |
| 125 - 245 | Kr. 14,018 | Kr. 70,09 |
| 250 + | Kr. 12,866 | Kr. 64,33 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4929
- Producentens varenummer:
- IPP60R120P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 26A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | IPP60R | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 120mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 95W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.45mm | |
| Længde | 10.36mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 26A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie IPP60R | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 120mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 95W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.45mm | ||
Længde 10.36mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600V CoolMOS™ P7 er efterfølgeren til 600V CoolMOS™ P6 serien. Den afbalancerer fortsat behovet for høj effektivitet i forhold til brugervenligheden i designprocessen. Den bedste R onxA i klassen og den naturlige lave gate Charge (Q G) fra CoolMOS™ 7. Generation platformen sikrer dens høje effektivitet.
ESD-robusthed på ≥ 2 kV (HBM klasse 2)
Integreret gate-modstand R G
Diode med robust hus
Bredt sortiment i huse til hulmontering og overflademontering
Der fås både dele i standardkvalitet og industrikvalitet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 26 A 600 V Forbedring TO-220, IPP60R
- Infineon Type N-Kanal 35 A 600 V Forbedring TO-220, IPP60R
- Infineon Type N-Kanal 23 A 600 V Forbedring TO-220, IPP60R AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 26 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 20.7 A 600 V Forbedring TO-220, SPA20N60C3
- Infineon Type N-Kanal 6 A 600 V Forbedring TO-220, IPA60R
- Infineon Type N-Kanal 14 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS CFD7
- Infineon Type N-Kanal 9 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7