Infineon N-Kanal, MOSFET og Diode, 26 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- RS-varenummer:
- 220-7368
- Producentens varenummer:
- IPA60R120P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (5 enheder, i en pakke med 5)*
Kr. 161,19
(ekskl. moms)
Kr. 201,49
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.295 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 32,238 | Kr. 161,19 |
| 25 - 45 | Kr. 29,008 | Kr. 145,04 |
| 50 - 120 | Kr. 27,092 | Kr. 135,46 |
| 125 - 245 | Kr. 25,148 | Kr. 125,74 |
| 250 + | Kr. 23,532 | Kr. 117,66 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7368
- Producentens varenummer:
- IPA60R120P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 26A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 120mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 28W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 26A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 120mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 28W | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS P7 seriens MOSFET og diode, 650 V maksimal drain source-spænding, 78 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPA60R120P7XKSA1
Denne MOSFET og diode er en højspændingsswitching-enhed, der er designet til montering gennem hul i TO-220-kabinetter, der kombinerer en N-kanal-forstærkningstransistor med en integreret diode til brug i krævende elektroniske strømkredsløb. Den er beregnet til anvendelser, der kræver betydelig strømkapacitet og høj temperaturbestandighed, og den fungerer over et bredt omgivende temperaturområde.
Egenskaber og fordele:
• 650 V-klassificering muliggør højspændingsswitching i en enkelt enhed
• 78 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter håndtering af tung belastning
• 120 mΩ lav modstand ved tænding reducerer ledningstab
• 28 W maks. effekttab muliggør vedvarende effekthåndtering
• 0,9 V fremadgående diodespænding minimerer diodens ledningstab
• 30 V gate-source-grænse tillader standard gate-drevspændinger
• 78 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter håndtering af tung belastning
• 120 mΩ lav modstand ved tænding reducerer ledningstab
• 28 W maks. effekttab muliggør vedvarende effekthåndtering
• 0,9 V fremadgående diodespænding minimerer diodens ledningstab
• 30 V gate-source-grænse tillader standard gate-drevspændinger
Anvendelser
• Velegnet til højspændingsstrømomformere og invertere
• Ideel til industrielle motordrevskiftetrin
• Anvendes sammen med switch-mode strømforsyninger, der kræver høj strøm
• Kan bruges til effektfaktorkorrektionskredsløb
• Velegnet til udskiftning i TO-220-konstruktioner med gennemgående hul
• Ideel til industrielle motordrevskiftetrin
• Anvendes sammen med switch-mode strømforsyninger, der kræver høj strøm
• Kan bruges til effektfaktorkorrektionskredsløb
• Velegnet til udskiftning i TO-220-konstruktioner med gennemgående hul
Hvilket termisk område kan denne komponent tolerere under drift?
Den kan fungere fra -55 °C op til +150 °C, hvilket muliggør brug i miljøer med høje temperaturer.
Hvilken monteringsmetode kræver den til printmontering?
Den er beregnet til montering gennem hul i en TO-220-pakke til sikker mekanisk og termisk fastgørelse.
Hvilken kanal og ledningstilstand bruger den til omskiftning?
Enheden bruger en N-kanals halvleder konfigureret i forstærkning tilstand til standard gate-drevet ledning.
Er den specificeret til overholdelse af bilkvalitet?
Det er ikke udpeget som at opfylde bilstandarden klassificering.
Hvor mange ben giver pakken til elektrisk tilslutning?
Pakken har tre ben til port-, drain- og kildetilslutninger.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 26 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 26 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 16 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 100 A 650 V Forbedring VSON, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 151 A 650 V Forbedring VSON, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 151 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 151 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 16 A 650 V Forbedring SOT-223, CoolMOS P7
