Infineon N-Kanal, MOSFET, 26 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IPP60R

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 739,90

(ekskl. moms)

Kr. 924,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 14,798Kr. 739,90
100 - 200Kr. 13,319Kr. 665,95
250 +Kr. 12,578Kr. 628,90

*Vejledende pris

RS-varenummer:
222-4928
Producentens varenummer:
IPP60R120P7XKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

26A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

IPP60R

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

120mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

36nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

95W

Gennemgangsspænding Vf

900mV

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

9.45mm

Længde

10.36mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4.57mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon IPP60R seriens MOSFET, 600 V maksimal drain source-spænding, 26 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPP60R120P7XKSA1


Denne MOSFET er en højspændingstransistor, der er designet til strømstyringsanvendelser, hvor der kræves en høj spændingstolerance og et termisk område. Den fungerer som en N-kanalforbedringsenhed i et TO-220-hus med gennemgående hul og er velegnet til kredsløbsdesign, der kræver robust gate-drev og betydelig kontinuerlig strømhåndtering i krævende temperaturmiljøer.

Egenskaber og fordele:


• 600 V drain-source-spænding muliggør højspændingskontaktfunktion
• 120 mΩ RDS(on) reducerer ledningstab for forbedret effektivitet
• 26 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 36 nC typisk gate-opladning gør det nemmere at dimensionere gate-drevet for hurtigere omskiftning
• 95 W maks. effekttab muliggør drift med høj effekt
• Driftsområde fra -55 °C til 150 °C understøtter brede termiske miljøer

Anvendelser


• Velegnet til højspændings SMPS primære koblingstrin
• Ideel til halvbrokredsløb med motordrev, der kræver montering gennem hul
• Anvendes sammen med industrielle invertere, der håndterer høje spændinger
• Kan bruges til switch-mode strømkonvertering i bordudstyr
• Velegnet til strømforsyninger, hvor robust termisk tolerance er nødvendig

Hvad er den maksimale gate-spænding, der anbefales til drevkredsløb?


Enheden accepterer gate-source-spændinger op til 20 V, så gate-drivere bør vælges, så de forbliver inden for denne grænse.

Hvordan påvirker valg af pakke monteringen og varmestyringen?


TO-220-pakken med gennemgående huller letter varmeafledninger og nem PCB-montering for forbedret varmeafledning.

Hvilken ledningsevne kan forventes under tunge belastninger?


Med en RDS(on) på op til 120 mΩ og en kontinuerlig afløbsstrøm på 26 A er ledningstab kvantificerbare til beregninger af termisk design.

Hvordan skal der tages hensyn til koblingstab i designet?


Brug den typiske gate-ladning på 36 nC til at vurdere driverenergi pr. koblingshændelse og medtag 600 V mærkeværdi ved beregning af spændingsrelaterede koblingstab.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.