MPN

STMicroelectronics, IGBT, N-Kanal, 7 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220FP Hulmontering

RS-varenummer:: 686-8360
Producentens varenummer:: STGF7NB60SL
Brand:: STMicroelectronics

STMicroelectronics, IGBT, N-Kanal, 7 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220FP Hulmontering

Få rabat ved storkøb

Tilføj 20 flere for at gemme 12%

Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 29,25

(ekskl. moms)

Kr. 36,56

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

252 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*	Besparelse
2 - 18	Kr. 14,625	Kr. 29,25	-
20 - 98	Kr. 12,87	Kr. 25,74	12%
100 - 198	Kr. 11,495	Kr. 22,99	21%
200 +	Kr. 9,87	Kr. 19,74	32%

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 686-8360
Producentens varenummer:: STGF7NB60SL
Brand:: STMicroelectronics

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	STMicroelectronics
	Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic	7A
	Produkttype	IGBT
	Kollektor emitter spænding maks. Vceo	600V
	Effektafsættelse maks. Pd	25W
	Emballagetype	TO-220FP
	Monteringstype	Hulmontering
	Kanaltype	N
	Benantal	3
	Switching-hastighed	1MHz
	Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT	1.6V
	Portsenderspænding maks.	20 V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Højde	16.4mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bredde	4.6mm
	Serie	Powermesh
	Længde	10.4mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand STMicroelectronics
	Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 7A
	Produkttype IGBT
	Kollektor emitter spænding maks. Vceo 600V
	Effektafsættelse maks. Pd 25W
	Emballagetype TO-220FP
	Monteringstype Hulmontering
	Kanaltype N
	Benantal 3
	Switching-hastighed 1MHz
	Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.6V
	Portsenderspænding maks. 20 V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Højde 16.4mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bredde 4.6mm
	Serie Powermesh
	Længde 10.4mm
	Bilindustristandarder Nej

IGBT diskrete, ST Microelectronics

IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.