NGB8207ABNT4G, IGBT, N-Kanal, 50 A 365 V, 3 ben, D2PAK (TO-263) Enkelt
- RS-varenummer:
- 805-1753
- Producentens varenummer:
- NGB8207ABNT4G
- Brand:
- Littelfuse
240 På lager til afsendelse samme dag
Dag til dag levering ikke mulig
Tilføjet
Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 5)
Kr. 13,882
(ekskl. moms)
Kr. 17,352
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. | Pr pakke* |
| 5 + | Kr. 13,882 | Kr. 69,41 |
- RS-varenummer:
- 805-1753
- Producentens varenummer:
- NGB8207ABNT4G
- Brand:
- Littelfuse
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
IGBT diskrete, ON Semiconductor
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) til motordrev og andre stærkstrømsskiftanvendelser.
IGBT diskrete, ON Semiconductor
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 50 A |
| Kollektor emitter spænding maks. | 365 V |
| Gate emitter spænding maks. | ±15V |
| Effektafsættelse maks. | 165 W |
| Kapslingstype | D2PAK (TO-263) |
| Monteringstype | Overflademontering |
| Kanaltype | N |
| Benantal | 3 |
| Transistorkonfiguration | Enkelt |
| Dimensioner | 10.29 x 9.65 x 4.83mm |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C |
| Driftstemperatur min. | -55 °C |