STGWT30H60DFB, IGBT, N-Kanal, 60 A 600 V, 3 ben, TIL-3P Enkelt

Se alle IGBT

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 34,11

(ekskl. moms)

Kr. 42,638

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Begrænset lager
  • Plus 14 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 +Kr. 17,055Kr. 34,11

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
860-7325
Producentens varenummer:
STGWT30H60DFB
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

60 A

Kollektor emitter spænding maks.

600 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Effektafsættelse maks.

260 W

Kapslingstype

TIL-3P

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

N

Benantal

3

Transistorkonfiguration

Enkelt

Dimensioner

15.8 x 5 x 14.1mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

Driftstemperatur maks.

+175 °C

IGBT diskrete, ST Microelectronics



IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links