STMicroelectronics, Gravportfeltstop IGBT, Type N-Kanal, 60 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3PF Hulmontering
- RS-varenummer:
- 168-7090
- Producentens varenummer:
- STGFW30V60DF
- Brand:
- STMicroelectronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 168-7090
- Producentens varenummer:
- STGFW30V60DF
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Gravportfeltstop IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 60A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 600V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 260W | |
| Emballagetype | TO-3PF | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | Type N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 1MHz | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2.3V | |
| Portsenderspænding maks. | ±20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | ECOPACK | |
| Serie | V | |
| Længde | 15.7mm | |
| Højde | 26.7mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Gravportfeltstop IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 60A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 600V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 260W | ||
Emballagetype TO-3PF | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype Type N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 1MHz | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2.3V | ||
Portsenderspænding maks. ±20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser ECOPACK | ||
Serie V | ||
Længde 15.7mm | ||
Højde 26.7mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- KR
IGBT diskrete, ST Microelectronics
IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO-3PF Hulmontering
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO-252 Overflade
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- onsemi Type N-Kanal 3 Ben, TO-3PF Hulmontering
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO Hulmontering
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- onsemi Type N-Kanal 3 Ben, TO-3PF Hulmontering
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO-220 Hulmontering