STGFW30V60DF, IGBT, 60 A 600 V 1MHz, 3 ben, TO-3PF Enkelt

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 498,18

(ekskl. moms)

Kr. 622,74

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Udgår
  • Sidste 30 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 - 30Kr. 16,606Kr. 498,18
60 - 120Kr. 15,778Kr. 473,34
150 - 270Kr. 14,197Kr. 425,91
300 +Kr. 14,117Kr. 423,51

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-7090
Producentens varenummer:
STGFW30V60DF
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

60 A

Kollektor emitter spænding maks.

600 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Effektafsættelse maks.

58 W

Kapslingstype

TO-3PF

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Transistorkonfiguration

Enkelt

Dimensioner

15.7 x 5.7 x 26.7mm

Driftstemperatur maks.

+175 °C

Driftstemperatur min.

-55 °C

COO (Country of Origin):
KR

IGBT diskrete, ST Microelectronics



IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links