FGAF40N60UFTU, IGBT, N-Kanal, 40 A 600 V, 3 ben, TO-3PF Enkelt

Se alle IGBT

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 272,01

(ekskl. moms)

Kr. 340,02

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 660 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 9,067Kr. 272,01

*Vejledende pris

RS-varenummer:
145-4338
Producentens varenummer:
FGAF40N60UFTU
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

40 A

Kollektor emitter spænding maks.

600 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Effektafsættelse maks.

100 W

Kapslingstype

TO-3PF

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

N

Benantal

3

Transistorkonfiguration

Enkelt

Dimensioner

15.5 x 5.5 x 26.5mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

Driftstemperatur maks.

+150 °C

COO (Country of Origin):
CN

Diskrete IGBT'er, Fairchild Semiconductor



IGBT diskrete halvledere og moduler, Fairchild Semiconductor


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links