onsemi, IGBT, Type N-Kanal, 40 A 600 V 130 ns, 3 Ben, TO-3PF Hulmontering

Se alle IGBT

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 272,01

(ekskl. moms)

Kr. 340,02

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 630 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 9,067Kr. 272,01

*Vejledende pris

RS-varenummer:
145-4338
Producentens varenummer:
FGAF40N60UFTU
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

40A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

100W

Emballagetype

TO-3PF

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

130ns

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.3V

Portsenderspænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

5.45mm

Længde

26.5mm

Serie

UF

Standarder/godkendelser

AEC, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Diskrete IGBT'er, Fairchild Semiconductor


IGBT diskrete halvledere og moduler, Fairchild Semiconductor


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links