onsemi, IGBT, Type N-Kanal, 80 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3PF Hulmontering
- RS-varenummer:
- 124-1396
- Producentens varenummer:
- FGAF40N60SMD
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 698,94
(ekskl. moms)
Kr. 873,66
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 180 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 + | Kr. 23,298 | Kr. 698,94 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 124-1396
- Producentens varenummer:
- FGAF40N60SMD
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 80A | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 600V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 115W | |
| Emballagetype | TO-3PF | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | Type N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 1MHz | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.9V | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Serie | Field Stop | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 80A | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 600V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 115W | ||
Emballagetype TO-3PF | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype Type N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 1MHz | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.9V | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Serie Field Stop | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Diskrete IGBT'er, Fairchild Semiconductor
IGBT diskrete halvledere og moduler, Fairchild Semiconductor
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 3 Ben, TO-3PF Hulmontering
- onsemi Type N-Kanal 3 Ben, TO-3PF Hulmontering
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO-3PF Hulmontering
- FGAF40S65AQ N-Kanal 3 ben, TO-3PF 1 Enkelt
- onsemi Type N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- onsemi Type N-Kanal 3 Ben, TO-247AB Hulmontering
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- onsemi AEC-Q101 Type N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering