onsemi, IGBT-Felt Stop II, N-Kanal, 80 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- RS-varenummer:
- 842-7905
- Producentens varenummer:
- NGTB40N65FL2WG
- Brand:
- onsemi
Få rabat ved storkøb
Tilføj 20 flere for at gemme Kr. 128,70
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 92,83
(ekskl. moms)
Kr. 116,04
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
- Plus 30 enhed(er) afsendes fra 20. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 46,415 | Kr. 92,83 | - |
| 20 + | Kr. 39,98 | Kr. 79,96 | Kr. 128,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 842-7905
- Producentens varenummer:
- NGTB40N65FL2WG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 80A | |
| Produkttype | IGBT-Felt Stop II | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 650V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 366W | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 1MHz | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2V | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 21.34mm | |
| Serie | Field Stop | |
| Bredde | 16.25mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 5.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 80A | ||
Produkttype IGBT-Felt Stop II | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 650V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 366W | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 1MHz | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2V | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 21.34mm | ||
Serie Field Stop | ||
Bredde 16.25mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 5.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
IGBT diskrete, ON Semiconductor
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) til motordrev og andre stærkstrømsskiftanvendelser.
IGBT diskrete, ON Semiconductor
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- onsemi N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- onsemi N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- onsemi AEC-Q101 N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- onsemi 3 Ben, TO-247-3L Overflade
- onsemi 4 Ben, TO-247-4LD Overflade
- onsemi 3 Ben, TO-247-4LD Overflade
- onsemi N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering