onsemi, IGBT-Felt Stop II, Type N-Kanal, 70 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 71,75

(ekskl. moms)

Kr. 89,688

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 22 enhed(er) afsendes fra 10. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 35,875Kr. 71,75
20 +Kr. 30,905Kr. 61,81

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
842-7898
Producentens varenummer:
NGTB35N65FL2WG
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

70A

Produkttype

IGBT-Felt Stop II

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

650V

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Portsenderspænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.7V

Driftstemperatur maks.

175°C

Serie

Field Stop

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

5.3mm

Længde

20.8mm

Bilindustristandarder

Nej

IGBT diskrete, ON Semiconductor


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) til motordrev og andre stærkstrømsskiftanvendelser.

IGBT diskrete, ON Semiconductor


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links