onsemi, IGBT-Ultra Felt Stop, Type N-Kanal, 25 A 1200 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- RS-varenummer:
- 123-8830
- Producentens varenummer:
- NGTB25N120FL3WG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 94,85
(ekskl. moms)
Kr. 118,562
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 10 enhed(er) afsendes fra 29. juli 2026
- Plus 60 enhed(er) afsendes fra 14. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 47,425 | Kr. 94,85 |
| 20 + | Kr. 40,88 | Kr. 81,76 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 123-8830
- Producentens varenummer:
- NGTB25N120FL3WG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 25A | |
| Produkttype | IGBT-Ultra Felt Stop | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 1200V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 349W | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | Type N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 1MHz | |
| Portsenderspænding maks. | ±30 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.7V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 20.8mm | |
| Serie | Field Stop | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 25A | ||
Produkttype IGBT-Ultra Felt Stop | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 1200V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 349W | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype Type N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 1MHz | ||
Portsenderspænding maks. ±30 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.7V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 20.8mm | ||
Serie Field Stop | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
IGBT diskrete, ON Semiconductor
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) til motordrev og andre stærkstrømsskiftanvendelser.
IGBT diskrete, ON Semiconductor
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- onsemi Type N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- onsemi Type N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- onsemi AEC-Q101 Type N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- onsemi Type N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- onsemi Type N-Kanal Fælles emitter 4 Ben, TO-247-4L 1 Hulmontering
- onsemi Type N-Kanal Fælles emitter 4 Ben, TO-247-4L 1 Hulmontering
- onsemi Type N-Kanal Fælles emitter 4 Ben, TO-247-4L 1 Hulmontering