onsemi, IGBT-Ultra Felt Stop, Type N-Kanal, 25 A 1200 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 934,71

(ekskl. moms)

Kr. 1.168,38

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 30 enhed(er) afsendes fra 06. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 - 90Kr. 31,157Kr. 934,71
120 - 240Kr. 24,923Kr. 747,69
270 - 480Kr. 23,552Kr. 706,56
510 - 990Kr. 22,60Kr. 678,00
1020 +Kr. 22,034Kr. 661,02

*Vejledende pris

RS-varenummer:
145-3284
Producentens varenummer:
NGTB25N120FL3WG
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

IGBT-Ultra Felt Stop

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

25A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1200V

Effektafsættelse maks. Pd

349W

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.7V

Portsenderspænding maks.

±30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Serie

Field Stop

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

20.8mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

IGBT diskrete, ON Semiconductor


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) til motordrev og andre stærkstrømsskiftanvendelser.

IGBT diskrete, ON Semiconductor


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links