STMicroelectronics, Gravportfeltstop IGBT, Type N-Kanal, 60 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3PF Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 52,43

(ekskl. moms)

Kr. 65,538

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 20 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 26,215Kr. 52,43
10 - 18Kr. 24,91Kr. 49,82
20 - 48Kr. 22,44Kr. 44,88
50 - 98Kr. 20,195Kr. 40,39
100 +Kr. 19,11Kr. 38,22

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
792-5779
Producentens varenummer:
STGFW30V60DF
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

60A

Produkttype

Gravportfeltstop IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

260W

Emballagetype

TO-3PF

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Portsenderspænding maks.

±20 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

26.7mm

Længde

15.7mm

Standarder/godkendelser

ECOPACK

Serie

V

Bilindustristandarder

Nej

IGBT diskrete, ST Microelectronics


IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.