STMicroelectronics, Gravportfeltstop IGBT, Type N-Kanal, 60 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3PF Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 51,01

(ekskl. moms)

Kr. 63,762

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 30 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 25,505Kr. 51,01
10 - 18Kr. 24,235Kr. 48,47
20 - 48Kr. 21,805Kr. 43,61
50 - 98Kr. 19,60Kr. 39,20
100 +Kr. 18,59Kr. 37,18

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
792-5779
Producentens varenummer:
STGFW30V60DF
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

60A

Produkttype

Gravportfeltstop IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

260W

Emballagetype

TO-3PF

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.3V

Portsenderspænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

15.7mm

Højde

26.7mm

Serie

V

Standarder/godkendelser

ECOPACK

Bilindustristandarder

Nej

IGBT diskrete, ST Microelectronics


IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links