STMicroelectronics, Gravportfeltstop IGBT, Type N-Kanal, 10 A 600 V, 3 Ben, TO-252 Overflade

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 58,79

(ekskl. moms)

Kr. 73,49

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 12. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 5,879Kr. 58,79
50 - 90Kr. 5,573Kr. 55,73
100 - 240Kr. 5,019Kr. 50,19
250 - 490Kr. 4,525Kr. 45,25
500 +Kr. 4,301Kr. 43,01

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
906-2798
Producentens varenummer:
STGD5H60DF
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

Gravportfeltstop IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

10A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

88W

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Min. driftstemperatur

-55°C

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.95V

Portsenderspænding maks.

±20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

6.6mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Serie

H

Højde

2.4mm

Nominel energi

221mJ

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

IGBT diskrete, ST Microelectronics


IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links