STMicroelectronics, Gravportfeltstop IGBT, N-Kanal, 10 A 600 V, 3 Ben, TO-252 Overflade

Se alle IGBT
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
906-2798
Producentens varenummer:
STGD5H60DF
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

Gravportfeltstop IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

10A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

88W

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Kanaltype

N

Benantal

3

Min. driftstemperatur

-55°C

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.95V

Portsenderspænding maks.

±20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

6.6mm

Serie

H

Bredde

6.2mm

Højde

2.4mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Nominel energi

221mJ

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

IGBT diskrete, ST Microelectronics


IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.