ISL9V3040S3ST, IGBT, N-Kanal, 21 A 450 V, 3 ben, D2PAK (TO-263) Enkelt
- RS-varenummer:
- 862-9353P
- Producentens varenummer:
- ISL9V3040S3ST
- Brand:
- Fairchild Semiconductor
700 På lager til afsendelse samme dag
Dag til dag levering ikke mulig
Tilføjet
Pris pr. stk. Pr. stk. (Leveres på en Strip) Quantities below 150 on continuous strip
Kr. 16,442
(ekskl. moms)
Kr. 20,552
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. |
| 10 - 95 | Kr. 16,442 |
| 100 - 245 | Kr. 12,76 |
| 250 - 495 | Kr. 12,282 |
| 500 + | Kr. 11,294 |
- RS-varenummer:
- 862-9353P
- Producentens varenummer:
- ISL9V3040S3ST
- Brand:
- Fairchild Semiconductor
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Diskrete IGBT'er, Fairchild Semiconductor
IGBT diskrete halvledere og moduler, Fairchild Semiconductor
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 21 A |
| Kollektor emitter spænding maks. | 450 V |
| Gate emitter spænding maks. | ±14V |
| Effektafsættelse maks. | 150 W |
| Kapslingstype | D2PAK (TO-263) |
| Monteringstype | Overflademontering |
| Kanaltype | N |
| Benantal | 3 |
| Transistorkonfiguration | Enkelt |
| Dimensioner | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C |
| Driftstemperatur min. | -40 °C |