ISL9V3040P3, IGBT, N-Kanal, 21 A 450 V, 3 ben, TO-220AB Enkelt
- RS-varenummer:
- 862-9359
- Producentens varenummer:
- ISL9V3040P3
- Brand:
- Fairchild Semiconductor
20 På lager for afsendelse samme dag
10 enheder til afsendelse inden for 1 arbejdsdag(e) (UK lager)
Tilføjet
Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 5)
Kr. 24,07
(ekskl. moms)
Kr. 30,09
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. | Pr pakke* |
| 5 - 5 | Kr. 24,07 | Kr. 120,35 |
| 10 - 95 | Kr. 19,388 | Kr. 96,94 |
| 100 - 495 | Kr. 15,918 | Kr. 79,59 |
| 500 - 995 | Kr. 13,42 | Kr. 67,10 |
| 1000 + | Kr. 11,504 | Kr. 57,52 |
- RS-varenummer:
- 862-9359
- Producentens varenummer:
- ISL9V3040P3
- Brand:
- Fairchild Semiconductor
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Diskrete IGBT'er, Fairchild Semiconductor
IGBT diskrete halvledere og moduler, Fairchild Semiconductor
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 21 A |
| Kollektor emitter spænding maks. | 450 V |
| Gate emitter spænding maks. | ±14V |
| Effektafsættelse maks. | 150 W |
| Kapslingstype | TO-220AB |
| Monteringstype | Hulmontering |
| Kanaltype | N |
| Benantal | 3 |
| Transistorkonfiguration | Enkelt |
| Dimensioner | 10.67 x 4.7 x 16.3mm |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C |
| Driftstemperatur min. | -40 °C |