IXYS, Højhastighed IGBT, Type N-Kanal, 82 A 1200 V 50 kHz, 3 Ben, TO-247 Hulmontering

Se alle IGBT

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 3.266,67

(ekskl. moms)

Kr. 4.083,33

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 108,889Kr. 3.266,67

*Vejledende pris

RS-varenummer:
920-1016
Producentens varenummer:
IXYH82N120C3
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

Højhastighed IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

82A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1200V

Effektafsættelse maks. Pd

1250W

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

50kHz

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

3.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portsenderspænding maks.

±20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

20.32mm

Standarder/godkendelser

International Standard Package

Serie

1200V XPTTM IGBT GenX3TM

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
US

IGBT diskrete halvledere, IXYS XPT serien


XPT™ serie af diskrete IGBT-halvledere fra IXYS har ekstrem gennemstanset tynd lysskiveteknologi, hvilket resulterer i nedsat termisk modstand og lavere energitab. Disse enheder giver hurtige omkoblingstider med lille efterstrøm, og findes i en række branchestandardpakker og private pakker.

Høj effekttæthed og lav VCE(sat)

Kvadratisk RBSOA (Reverse Bias Safe Operating Area) op til beregnet overslagsspænding

Kortslutning til 10 usec

Positivt spændingstemperaturkoefficient når tændt

Valgfri Sonisk-FRD™- eller HiPerFRED™-dioder i pakken

International standard- og egenudviklede højspændingspakker

IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links