MPN

MMBFJ113, JFET, N-Kanal Single, 3 ben, SOT-23 Enkelt

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.665,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.082,00

(inkl. moms)

Midlertidigt ikke på lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 0,555	Kr. 1.665,00

*Vejledende pris

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Kanaltype	N
	Idss Drain-Source Cut-off strøm	min. 2mA
	Gate source spænding maks.	-35 V
	Drain gate spænding maks.	35V
	Transistorkonfiguration	Enkelt
	Konfiguration	Single
	Drain source modstand maks.	100 Ω
	Monteringstype	Overflademontering
	Kapslingstype	SOT-23
	Benantal	3
	Drain gate on-kapacitet	28pF
	Source gate on-kapacitet	28pF
	Dimensioner	2.92 x 1.3 x 0.93mm
	Længde	2.92mm
	Driftstemperatur min.	-55 °C
	Bredde	1.3mm
	Højde	0.93mm
	Driftstemperatur maks.	+150 °C

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Kanaltype N
	Idss Drain-Source Cut-off strøm min. 2mA
	Gate source spænding maks. -35 V
	Drain gate spænding maks. 35V
	Transistorkonfiguration Enkelt
	Konfiguration Single
	Drain source modstand maks. 100 Ω
	Monteringstype Overflademontering
	Kapslingstype SOT-23
	Benantal 3
	Drain gate on-kapacitet 28pF
	Source gate on-kapacitet 28pF
	Dimensioner 2.92 x 1.3 x 0.93mm
	Længde 2.92mm
	Driftstemperatur min. -55 °C
	Bredde 1.3mm
	Højde 0.93mm
	Driftstemperatur maks. +150 °C

JFET transistorer

En række JFET (junction field-effekt transistor) og HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) diskrete halvlederkomponenter.

Relaterede links