J109, JFET, N-Kanal Single, 3 ben, TO-92 Enkelt
- RS-varenummer:
- 166-2021
- Producentens varenummer:
- J109
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pose af 1000 enheder)*
Kr. 1.442,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.802,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pose* |
|---|---|---|
| 1000 - 2000 | Kr. 1,442 | Kr. 1.442,00 |
| 3000 + | Kr. 1,429 | Kr. 1.429,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 166-2021
- Producentens varenummer:
- J109
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Idss Drain-Source Cut-off strøm | min. 40mA | |
| Gate source spænding maks. | -25 V | |
| Drain gate spænding maks. | 25V | |
| Konfiguration | Single | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Drain source modstand maks. | 12 Ω | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kapslingstype | TO-92 | |
| Benantal | 3 | |
| Drain gate on-kapacitet | 85pF | |
| Source gate on-kapacitet | 85pF | |
| Dimensioner | 4.58 x 3.86 x 4.58mm | |
| Længde | 4.58mm | |
| Højde | 4.58mm | |
| Bredde | 3.86mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Idss Drain-Source Cut-off strøm min. 40mA | ||
Gate source spænding maks. -25 V | ||
Drain gate spænding maks. 25V | ||
Konfiguration Single | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Drain source modstand maks. 12 Ω | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kapslingstype TO-92 | ||
Benantal 3 | ||
Drain gate on-kapacitet 85pF | ||
Source gate on-kapacitet 85pF | ||
Dimensioner 4.58 x 3.86 x 4.58mm | ||
Længde 4.58mm | ||
Højde 4.58mm | ||
Bredde 3.86mm | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
N-kanal JFET, Fairchild Semiconductor
JFET transistorer
En række JFET (junction field-effekt transistor) og HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) diskrete halvlederkomponenter.