onsemi, JFET, N-Kanal, JFET-Kanal 25 V Enkelt 24 to 60 mA, 3 Ben, SOT-23
- RS-varenummer:
- 170-3357
- Producentens varenummer:
- MMBFJ310LT1G
- Brand:
- onsemi
Indhold (3000 enheder, på en rulle med 3000)*
Kr. 2.001,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.502,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 0,667 | Kr. 2.001,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 170-3357
- Producentens varenummer:
- MMBFJ310LT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Undertype | JFET | |
| Produkttype | JFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Konfiguration | Enkelt | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 225mW | |
| Benantal | 3 | |
| Afløbskildestrøm Ids | 24 to 60 mA | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 2.9mm | |
| Højde | 0.94mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Undertype JFET | ||
Produkttype JFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Konfiguration Enkelt | ||
Monteringstype Overflade | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 225mW | ||
Benantal 3 | ||
Afløbskildestrøm Ids 24 to 60 mA | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 2.9mm | ||
Højde 0.94mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Undtaget
N-kanal JFET, ON Semiconductor
JFET transistorer
En række JFET (junction field-effekt transistor) og HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) diskrete halvlederkomponenter.