Toshiba, JFET, Type N-Kanal, JFET-Kanal 10 V Enkelt 1.2 to 3 mA, 3 Ben, SOT-346
- RS-varenummer:
- 760-3126P
- Producentens varenummer:
- 2SK209-Y(TE85L,F)
- Brand:
- Toshiba
Indhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 20,77
(ekskl. moms)
Kr. 25,96
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 + | Kr. 2,077 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 760-3126P
- Producentens varenummer:
- 2SK209-Y(TE85L,F)
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Undertype | JFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | JFET | |
| Drain source spænding maks. Vds | 10V | |
| Konfiguration | Enkelt | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Emballagetype | SOT-346 | |
| Afløbskildestrøm Ids | 1.2 to 3 mA | |
| Benantal | 3 | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150mW | |
| Portkildespænding maks. | -30 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1kΩ | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Længde | 2.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.5 mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Undertype JFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype JFET | ||
Drain source spænding maks. Vds 10V | ||
Konfiguration Enkelt | ||
Monteringstype Overflade | ||
Emballagetype SOT-346 | ||
Afløbskildestrøm Ids 1.2 to 3 mA | ||
Benantal 3 | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150mW | ||
Portkildespænding maks. -30 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Drain source modstand maks. Rds 1kΩ | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Længde 2.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.5 mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal JFET Toshiba
JFET transistorer
En række JFET (junction field-effekt transistor) og HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) diskrete halvlederkomponenter.