onsemi, JFET, Type N-Kanal, Switch-N-kanal-Kanal 20 V Enkelt 10 to 40 mA, 3 Ben, SOT-23
- RS-varenummer:
- 806-4282
- Producentens varenummer:
- MMBF5103
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 77,75
(ekskl. moms)
Kr. 97,20
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | Kr. 1,555 | Kr. 77,75 |
| 500 - 950 | Kr. 1,339 | Kr. 66,95 |
| 1000 + | Kr. 1,161 | Kr. 58,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 806-4282
- Producentens varenummer:
- MMBF5103
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | JFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Undertype | Switch-N-kanal | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Konfiguration | Enkelt | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Portkildespænding maks. | -40 V | |
| Benantal | 3 | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 350mW | |
| Afløbskildestrøm Ids | 10 to 40 mA | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.9mm | |
| Bredde | 1.3 mm | |
| Højde | 1.04mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype JFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Undertype Switch-N-kanal | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Konfiguration Enkelt | ||
Monteringstype Overflade | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Portkildespænding maks. -40 V | ||
Benantal 3 | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 350mW | ||
Afløbskildestrøm Ids 10 to 40 mA | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.9mm | ||
Bredde 1.3 mm | ||
Højde 1.04mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal JFET, Fairchild Semiconductor
JFET transistorer
En række JFET (junction field-effekt transistor) og HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) diskrete halvlederkomponenter.