onsemi, JFET, Type P-Kanal, JFET-Kanal 15 V Enkelt -2 to -15 mA, 3 Ben, SOT-23
- RS-varenummer:
- 806-4318
- Producentens varenummer:
- MMBFJ270
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 144,65
(ekskl. moms)
Kr. 180,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 200 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | Kr. 2,893 | Kr. 144,65 |
| 500 - 950 | Kr. 2,495 | Kr. 124,75 |
| 1000 + | Kr. 2,163 | Kr. 108,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 806-4318
- Producentens varenummer:
- MMBFJ270
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Undertype | JFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | JFET | |
| Drain source spænding maks. Vds | 15V | |
| Konfiguration | Enkelt | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Afløbskildestrøm Ids | -2 to -15 mA | |
| Benantal | 3 | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 225mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.04mm | |
| Længde | 2.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Undertype JFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype JFET | ||
Drain source spænding maks. Vds 15V | ||
Konfiguration Enkelt | ||
Monteringstype Overflade | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Afløbskildestrøm Ids -2 to -15 mA | ||
Benantal 3 | ||
Effektafsættelse maks. Pd 225mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.04mm | ||
Længde 2.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal JFET, Fairchild Semiconductor
JFET transistorer
En række JFET (junction field-effekt transistor) og HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) diskrete halvlederkomponenter.