STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 2.2 A 600 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV, MDmesh II

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 19.818,00

(ekskl. moms)

Kr. 24.774,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 6,606Kr. 19.818,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
151-422
Producentens varenummer:
STL3NM60N
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.2A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV

Serie

MDmesh II

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.5Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

9.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

22W

Portkildespænding maks.

25 V

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY
STMicroelectronics Power MOSFET er udviklet ved hjælp af anden generation af MDmesh-teknologi. Denne revolutionerende Power MOSFET forbinder en vertikal struktur med virksomhedens striplayout for at give en af verdens laveste modstand. Den er derfor velegnet til de mest krævende konvertere med høj effektivitet.

100% lavine testet

Lav indgangskapacitet og gate-opladning

Relaterede links

Recently viewed