STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 2.2 A 600 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV, MDmesh II
- RS-varenummer:
- 151-422
- Producentens varenummer:
- STL3NM60N
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 22.242,00
(ekskl. moms)
Kr. 27.804,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 7,414 | Kr. 22.242,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-422
- Producentens varenummer:
- STL3NM60N
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV | |
| Serie | MDmesh II | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 22W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.5nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV | ||
Serie MDmesh II | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 22W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.5nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
STMicroelectronics Power MOSFET er udviklet ved hjælp af anden generation af MDmesh-teknologi. Denne revolutionerende Power MOSFET forbinder en vertikal struktur med virksomhedens striplayout for at give en af verdens laveste modstand. Den er derfor velegnet til de mest krævende konvertere med høj effektivitet.
100% lavine testet
Lav indgangskapacitet og gate-opladning
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.2 A 600 V Forbedring PowerFLAT (33) HV, MDmesh II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 373 A 40 V PowerFLAT (33), STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 22 A 600 V Forbedring PowerFLAT, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 15 A 710 V Forbedring PowerFLAT, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 22 A 710 V Forbedring PowerFLAT, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 500 V Forbedring TO-263, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4 Ben, PowerFLAT (5 x 6) HV
- STMicroelectronics 1 Type N-Kanal Enkelt 8 Ben, PowerFLAT (5 x 6) HV