STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 14 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, SuperMESH
- RS-varenummer:
- 151-456
- Producentens varenummer:
- STW15NK50Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 748,59
(ekskl. moms)
Kr. 935,73
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 660 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | Kr. 24,953 | Kr. 748,59 |
| 150 - 270 | Kr. 23,781 | Kr. 713,43 |
| 300 + | Kr. 20,56 | Kr. 616,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-456
- Producentens varenummer:
- STW15NK50Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | SuperMESH | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.34Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 76nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Min. driftstemperatur | 50°C | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 5.15mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 34.95mm | |
| Bredde | 15.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie SuperMESH | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.34Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 76nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Min. driftstemperatur 50°C | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 5.15mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 34.95mm | ||
Bredde 15.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET er udviklet ved hjælp af Super MESH-teknologi, der er opnået gennem optimering af et veletableret Power MESH-layout. Ud over en betydelig reduktion i on-modstand er denne enhed designet til at sikre et højt niveau af dv/dt-kapacitet til de mest krævende applikationer.
100 % lavinetestet
Gate-ladning minimeret
Meget lav egenkapacitet
Meget god gentagelsesnøjagtighed i produktionen
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 14 A 500 V Forbedring TO-247, SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 14 A 500 V Forbedring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 17 A 500 V Forbedring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 14 A 500 V Forbedring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 14 A 500 V Forbedring TO-263 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 14 A 500 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 9 A 800 V Forbedring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 15 A 900 V Forbedring TO-247 SuperMESH