STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- RS-varenummer:
- 151-917
- Producentens varenummer:
- STD25NF10T4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 10 enheder)*
Kr. 76,22
(ekskl. moms)
Kr. 95,28
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 7.450 enhed(er) afsendes fra 17. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 7,622 | Kr. 76,22 |
| 100 - 490 | Kr. 5,079 | Kr. 50,79 |
| 500 - 990 | Kr. 4,009 | Kr. 40,09 |
| 1000 - 2490 | Kr. 3,673 | Kr. 36,73 |
| 2500 + | Kr. 3,291 | Kr. 32,91 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-917
- Producentens varenummer:
- STD25NF10T4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | STripFET II | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 38Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 55nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie STripFET II | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 38Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 55nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET-serien er udviklet ved hjælp af STripFET-processen, som er specielt designet til at minimere indgangskapacitet og gate-ladning. Dette gør enheden velegnet til brug som primærkontakt i avancerede isolerede DC-til-DC-konvertere med høj effektivitet til telekommunikation og computeranvendelser.
Fremragende dv/dt-kapacitet
100% lavine testet
Lav gate-opladning