STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, STripFET II Nej STD25NF10T4

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 10 enheder)*

Kr. 36,95

(ekskl. moms)

Kr. 46,19

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 7.470 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
10 - 90Kr. 3,695Kr. 36,95
100 - 240Kr. 3,508Kr. 35,08
250 - 490Kr. 3,261Kr. 32,61
500 - 990Kr. 2,992Kr. 29,92
1000 +Kr. 2,887Kr. 28,87

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
151-917
Producentens varenummer:
STD25NF10T4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

25A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-252

Serie

STripFET II

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

38Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

55nC

Effektafsættelse maks. Pd

100W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET-serien er udviklet ved hjælp af STripFET-processen, som er specielt designet til at minimere indgangskapacitet og gate-ladning. Dette gør enheden velegnet til brug som primærkontakt i avancerede isolerede DC-til-DC-konvertere med høj effektivitet til telekommunikation og computeranvendelser.

Fremragende dv/dt-kapacitet

100% lavine testet

Lav gate-opladning

Relaterede links