STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 2 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 20 enheder)*

Kr. 47,50

(ekskl. moms)

Kr. 59,38

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.420 enhed(er) afsendes fra 17. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
20 - 180Kr. 2,375Kr. 47,50
200 - 480Kr. 2,252Kr. 45,04
500 - 980Kr. 2,087Kr. 41,74
1000 - 1980Kr. 1,926Kr. 38,52
2000 +Kr. 1,855Kr. 37,10

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
151-935
Producentens varenummer:
STD2HNK60Z
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

SuperMESH

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4.8Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±30 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

2.4mm

Længde

10.1mm

Bredde

6.6 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET er udviklet med Super MESH-teknologi, opnået gennem optimering af et veletableret strimmelbaseret Power MESH-layout. Ud over en betydelig reduktion af modstand er denne enhed designet til at sikre et højt niveau af dv/dt-kapacitet til de mest krævende anvendelser.

100% lavine testet

Gate-opladning minimeres

Meget lav intern kapacitet

Zenerbeskyttet

Relaterede links

Recently viewed