STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 2 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH Nej STD2HNK60Z

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 20 enheder)*

Kr. 47,50

(ekskl. moms)

Kr. 59,38

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.440 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
20 - 180Kr. 2,375Kr. 47,50
200 - 480Kr. 2,252Kr. 45,04
500 - 980Kr. 2,087Kr. 41,74
1000 - 1980Kr. 1,926Kr. 38,52
2000 +Kr. 1,855Kr. 37,10

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
151-935
Producentens varenummer:
STD2HNK60Z
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-252

Serie

SuperMESH

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4.8Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11nC

Portkildespænding maks.

±30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

10.1mm

Højde

2.4mm

Bredde

6.6 mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET er udviklet med Super MESH-teknologi, opnået gennem optimering af et veletableret strimmelbaseret Power MESH-layout. Ud over en betydelig reduktion af modstand er denne enhed designet til at sikre et højt niveau af dv/dt-kapacitet til de mest krævende anvendelser.

100% lavine testet

Gate-opladning minimeres

Meget lav intern kapacitet

Zenerbeskyttet

Relaterede links