STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 2 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH
- RS-varenummer:
- 151-935
- Producentens varenummer:
- STD2HNK60Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (20 enheder, på en tape med 20)*
Kr. 170,92
(ekskl. moms)
Kr. 213,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.380 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 8,546 | Kr. 170,92 |
| 200 - 480 | Kr. 7,364 | Kr. 147,28 |
| 500 + | Kr. 5,775 | Kr. 115,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-935
- Producentens varenummer:
- STD2HNK60Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.8Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11nC | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.6mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 10.1mm | |
| Højde | 2.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie SuperMESH | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.8Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11nC | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.6mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 10.1mm | ||
Højde 2.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET er udviklet med Super MESH-teknologi, opnået gennem optimering af et veletableret strimmelbaseret Power MESH-layout. Ud over en betydelig reduktion af modstand er denne enhed designet til at sikre et højt niveau af dv/dt-kapacitet til de mest krævende anvendelser.
100% lavine testet
Gate-opladning minimeres
Meget lav intern kapacitet
Zenerbeskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 2 A 600 V Forbedring TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 2.4 A 600 V Forbedring TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 4 A 600 V Forbedring TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 1 A 600 V Forbedring TO-252 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 4 A 600 V Forbedring TO-263, SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 10 A 600 V Forbedring TO-220, SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 85 A 1000 V Forbedring TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 3 A 800 V Forbedring TO-252, SuperMESH