STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- RS-varenummer:
- 151-938
- Producentens varenummer:
- STD12NF06T4
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 200 flere for at gemme 13%
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 20 enheder)*
Kr. 163,00
(ekskl. moms)
Kr. 203,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 980 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 8,15 | Kr. 163,00 | - |
| 200 - 480 | Kr. 7,024 | Kr. 140,48 | 13% |
| 500 + | Kr. 5,513 | Kr. 110,26 | 32% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-938
- Producentens varenummer:
- STD12NF06T4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | STripFET II | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.1Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 30W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie STripFET II | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.1Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 30W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET-serien er udviklet ved hjælp af STripFET-processen, som er specielt designet til at minimere indgangskapacitet og gate-ladning. Dette gør enheden velegnet til brug som primærkontakt i avancerede isolerede DC-til-DC-konvertere med høj effektivitet til telekommunikation og computeranvendelser.
Fremragende dv/dt-kapacitet
100% lavine testet
Lav gate-opladning
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 60 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 35 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 25 A 100 V Forbedring TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 17 A 250 V Forbedring TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 35 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 24 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 16 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET