STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, STripFET II Nej STD12NF06T4

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 20 enheder)*

Kr. 129,64

(ekskl. moms)

Kr. 162,04

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.040 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
20 - 180Kr. 6,482Kr. 129,64
200 - 480Kr. 6,156Kr. 123,12
500 - 980Kr. 5,70Kr. 114,00
1000 - 1980Kr. 5,251Kr. 105,02
2000 +Kr. 5,049Kr. 100,98

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
151-938
Producentens varenummer:
STD12NF06T4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-252

Serie

STripFET II

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.1Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

12nC

Effektafsættelse maks. Pd

30W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET-serien er udviklet ved hjælp af STripFET-processen, som er specielt designet til at minimere indgangskapacitet og gate-ladning. Dette gør enheden velegnet til brug som primærkontakt i avancerede isolerede DC-til-DC-konvertere med høj effektivitet til telekommunikation og computeranvendelser.

Fremragende dv/dt-kapacitet

100% lavine testet

Lav gate-opladning

Relaterede links