STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, STripFET II

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 20 enheder)*

Kr. 129,64

(ekskl. moms)

Kr. 162,04

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 16. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
20 - 180Kr. 6,482Kr. 129,64
200 - 480Kr. 6,156Kr. 123,12
500 - 980Kr. 5,70Kr. 114,00
1000 - 1980Kr. 5,251Kr. 105,02
2000 +Kr. 5,049Kr. 100,98

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
151-938
Producentens varenummer:
STD12NF06T4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-252

Serie

STripFET II

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.1Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

12nC

Effektafsættelse maks. Pd

30W

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET-serien er udviklet ved hjælp af STripFET-processen, som er specielt designet til at minimere indgangskapacitet og gate-ladning. Dette gør enheden velegnet til brug som primærkontakt i avancerede isolerede DC-til-DC-konvertere med høj effektivitet til telekommunikation og computeranvendelser.

Fremragende dv/dt-kapacitet

100% lavine testet

Lav gate-opladning

Relaterede links