STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- RS-varenummer:
- 687-5068
- Producentens varenummer:
- STD25NF10LT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 100,98
(ekskl. moms)
Kr. 126,225
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 60 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 1.025 enhed(er) afsendes fra 29. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 20,196 | Kr. 100,98 |
| 50 - 120 | Kr. 17,408 | Kr. 87,04 |
| 125 + | Kr. 13,652 | Kr. 68,26 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-5068
- Producentens varenummer:
- STD25NF10LT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | STripFET II | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 35mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.4mm | |
| Længde | 6.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie STripFET II | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 35mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.4mm | ||
Længde 6.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 25 A 100 V Forbedring TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 250 V Forbedring TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 35 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 24 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 13 A 100 V Forbedring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 35 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET