STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, SuperMESH

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 538,55

(ekskl. moms)

Kr. 673,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 11. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 450Kr. 10,771Kr. 538,55
500 - 1200Kr. 9,684Kr. 484,20
1250 +Kr. 7,938Kr. 396,90

*Vejledende pris

RS-varenummer:
151-941
Producentens varenummer:
STP6NK60Z
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-220

Serie

SuperMESH

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.2Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

33nC

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

28.9mm

Længde

28.9mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET er opnået gennem en ekstrem optimering af et veletableret stripbaseret Power MESH-layout. Ud over at presse modstanden betydeligt ned, er der lagt særlig vægt på at sikre en meget god dv/dt-kapacitet til de mest krævende anvendelser.

Ekstremt høj dv/dt-kapacitet

100 % lavinetestet

Gate-ladning minimeret

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.