STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, SuperMESH
- RS-varenummer:
- 151-941
- Producentens varenummer:
- STP6NK60Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 500 flere for at gemme 10%
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 538,55
(ekskl. moms)
Kr. 673,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 50 enhed(er) afsendes fra 11. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 50 - 450 | Kr. 10,771 | Kr. 538,55 | - |
| 500 - 1200 | Kr. 9,684 | Kr. 484,20 | 10% |
| 1250 + | Kr. 7,938 | Kr. 396,90 | 26% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-941
- Producentens varenummer:
- STP6NK60Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.2Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 33nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 10.4mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 28.9mm | |
| Længde | 28.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie SuperMESH | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.2Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 10.4mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 28.9mm | ||
Længde 28.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET er opnået gennem en ekstrem optimering af et veletableret stripbaseret Power MESH-layout. Ud over at presse modstanden betydeligt ned, er der lagt særlig vægt på at sikre en meget god dv/dt-kapacitet til de mest krævende anvendelser.
Ekstremt høj dv/dt-kapacitet
100 % lavinetestet
Gate-ladning minimeret
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 6 A 600 V Forbedring TO-220, SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 10 A 600 V Forbedring TO-220, SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 10 A 600 V Forbedring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 7 A 600 V Forbedring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 4 A 600 V Forbedring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 4 A 600 V Forbedring TO-263, SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 17 A 500 V Forbedring TO-220, SuperMESH