STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, SuperMESH

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 60,74

(ekskl. moms)

Kr. 75,92

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 30 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 50 enhed(er) afsendes fra 18. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 6,074Kr. 60,74

*Vejledende pris

RS-varenummer:
151-942
Producentens varenummer:
STP6NK60Z
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

SuperMESH

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.2Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

33nC

Portkildespænding maks.

±30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

10.4 mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

28.9mm

Længde

28.9mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET er opnået gennem en ekstrem optimering af et veletableret stripbaseret Power MESH-layout. Ud over at presse modstanden betydeligt ned, er der lagt særlig vægt på at sikre en meget god dv/dt-kapacitet til de mest krævende anvendelser.

Ekstremt høj dv/dt-kapacitet

100 % lavinetestet

Gate-ladning minimeret

Relaterede links