STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, SuperMESH

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 107,71

(ekskl. moms)

Kr. 134,64

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 30 enhed(er) afsendes fra 21. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 10,771Kr. 107,71
100 +Kr. 10,375Kr. 103,75

*Vejledende pris

RS-varenummer:
151-942
Producentens varenummer:
STP6NK60Z
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

SuperMESH

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.2Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

33nC

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Portkildespænding maks.

30V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

28.9mm

Bredde

10.4mm

Højde

28.9mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET er opnået gennem en ekstrem optimering af et veletableret stripbaseret Power MESH-layout. Ud over at presse modstanden betydeligt ned, er der lagt særlig vægt på at sikre en meget god dv/dt-kapacitet til de mest krævende anvendelser.

Ekstremt høj dv/dt-kapacitet

100 % lavinetestet

Gate-ladning minimeret

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.