IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HiperFET, Polar
- RS-varenummer:
- 193-420
- Producentens varenummer:
- IXTP50N20P
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 43,30
(ekskl. moms)
Kr. 54,12
(inkl. moms)
Tilføj 14 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 6 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
- Plus 47 enhed(er) afsendes fra 02. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 43,30 |
| 10 - 24 | Kr. 37,92 |
| 25 + | Kr. 32,69 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 193-420
- Producentens varenummer:
- IXTP50N20P
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | HiperFET, Polar | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 60mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 360W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 70nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.66mm | |
| Højde | 9.15mm | |
| Bredde | 4.83 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie HiperFET, Polar | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 60mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 360W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 70nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.66mm | ||
Højde 9.15mm | ||
Bredde 4.83 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ serien
N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™) fra IXYS
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS
Relaterede links
- IXYS Type N-Kanal 50 A 200 V Forbedring TO-220
- IXYS Type N-Kanal 7 A 800 V Forbedring TO-220
- IXYS Type N-Kanal 36 A 300 V Forbedring TO-220
- IXYS Type N-Kanal 22 A 600 V Forbedring TO-220
- IXYS Type N-Kanal 26 A 500 V Forbedring TO-220
- IXYS Type N-Kanal 75 A 100 V Forbedring TO-220
- IXYS Type N-Kanal 12 A 500 V Forbedring TO-220
- IXYS Type N-Kanal 62 A 150 V Forbedring TO-220